二维材料电子输运性质的理论研究自2004年石墨烯被成功制备以来,实验上已经制备合成了大量具有独特电子输运性质的新型二维材料。在室温和更高温度下,电声子相互作用是散射电子的最主要散射机制,由此导致的电导率被称为材料的本征电导率。通过第一性原理计算,我们研究了ABA堆叠的三层石墨烯和羟基吸附的MXene材料Hf2C(OH)2在室温下的本征电导率。我们提出了三层石墨烯中电声子相互作用的选择定则并澄清了Hf2C(OH)2中的近自由电子气对材料电导率的影响。相应的工作发表在Phys. Rev. B 105, 195433 (2022)和Phys. Chem. Chem. Phys. 24, 24219 (2022)。
拓扑半金属电子输运性质的理论研究量子Hall效应的发现和对其物理本质的不断深入的认识,最终导致了拓扑材料这一全新物理概念的出现,随后不断涌现的各种各样的拓扑材料为实现低能耗的电子器件提供了丰富的材料载体。本人建立了有效的哈密顿量模型,讨论了谷间散射和高阶费曼图对拓扑半金属在磁场下的电导率的影响。相应的工作发表在J. Phys.: Condens. Matter 32, 205502(2020)和Solid State Commun. 334, 114266 (2021)。